作者:高轉(zhuǎn)妮,,占小紅*,,師慧姿,,黎一帆,,李響,,劉志強(qiáng),,王磊磊*
近期,,南京航空航天大學(xué)激光焊接與再制造研究所博士生高轉(zhuǎn)妮(第一作者)、占小紅教授(通訊作者),、王磊磊副研究員(通訊作者)聯(lián)合無(wú)錫銳科激光團(tuán)隊(duì)在材料成形領(lǐng)域Top期刊《Journal of Materials Processing Technology》(TOP期刊,,IF=6.3)上發(fā)表了題為“Mechanism of columnar to equiaxed to lamellar grain transition during wire-laser directed energy deposition 205 C aluminum alloy utilizing a coaxial head: Numerical simulation and experiment”的研究論文。
鋁合金具有輕質(zhì)高強(qiáng),、耐腐蝕性優(yōu)異等優(yōu)勢(shì),,在航空航天制造領(lǐng)域中備受青睞。激光同軸熔絲增材制造(LCWAM)采用光束整形技術(shù),,以絲材為沉積材料逐層熔化堆積,,相比傳統(tǒng)旁軸送絲技術(shù),具有高沉積速率,、成形柔性程度高,、前后運(yùn)動(dòng)成形質(zhì)量一致等優(yōu)勢(shì)。然而,,由于同軸送絲具有“光包絲”的特殊光絲作用形式,,增材過程的產(chǎn)熱傳熱形式發(fā)生顯著改變,,且鋁合金對(duì)激光具有較強(qiáng)的反射率和導(dǎo)熱率,導(dǎo)致目前特殊光絲作用形式下鋁合金晶粒生長(zhǎng)形態(tài)及演化機(jī)理尚不清晰,,這嚴(yán)重限制了鋁合金激光同軸熔絲增材制造的推廣與應(yīng)用,。
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圖1 激光同軸熔絲增材制造技術(shù)原理圖
研究發(fā)現(xiàn)
1) 晶粒形態(tài)分布
當(dāng)熱輸入(107.1 J/mm)與基板預(yù)熱溫度較低(160°C)時(shí),在沉積層底部出現(xiàn)等軸細(xì)晶區(qū),。當(dāng)熱輸入為166.7 J/mm和基板預(yù)熱溫度為160°C~230°C時(shí),,沉積層微觀結(jié)構(gòu)主要由頂部層狀晶、中部等軸晶和底部柱狀晶組成,。在低熱輸入(107.1 J/mm),、高熱輸入(194.4 J/mm)和高基板預(yù)熱溫度(300°C)下,沉積層頂部未出現(xiàn)層狀晶,。在194.4 J/mm熱輸入下,,沉積層內(nèi)部表現(xiàn)出由底部柱狀晶和頂部等軸晶組成的典型增材組織特征。
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圖2 不同熱輸入下沉積層橫截面上的微觀組織特征
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圖3 等軸細(xì)晶和層狀晶形成機(jī)理
2) 析出相與元素分布
在107.1 J/mm熱輸入下,,在等軸細(xì)晶區(qū)有少量Al2Cu第二相析出,,析出相體積分?jǐn)?shù)為13.75%。在166.7 J/mm熱輸入下,,層狀晶區(qū)的析出相含量相對(duì)較少,,析出相體積分?jǐn)?shù)為6.52%,沉積層從頂部向下,,在晶界附近有更多第二相析出,,沉積層底部析出相體積分?jǐn)?shù)為9.66%。
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圖4 不同熱輸入下沉積層SEM圖像
3) 溫度場(chǎng)計(jì)算
隨著熱輸入增大,,386.4°C對(duì)應(yīng)的雙耳形等溫面長(zhǎng)度逐漸減小,,寬度逐漸增大,逐漸向基體兩側(cè)靠攏,。隨著基板預(yù)熱溫度增加,,呈前短后長(zhǎng)半橢球形狀的357.8°C等溫面尺寸逐漸增大,當(dāng)預(yù)熱溫度達(dá)到230°C時(shí),,等溫面形狀轉(zhuǎn)變?yōu)殡p耳形,。隨著基板預(yù)熱溫度和熱輸入增加,沉積層峰值溫度和凝固速率(R)增加,,而溫度梯度(G)和冷卻速率(G×R)減小,。熱輸入的增加導(dǎo)致沉積層吸收熱量的能力變得更強(qiáng),這是峰值溫度增加的原因,。
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圖5 不同工藝參數(shù)下沉積過程中部的溫度場(chǎng)和等溫面分布
4) 微觀組織模擬
當(dāng)熱輸入較低(107.1 J/mm)時(shí),,在凝固初始階段,在熔池邊緣出現(xiàn)低溫液體邊界層,。高熔點(diǎn)金屬化合物Al3Zr作為非均勻形核質(zhì)點(diǎn)參與液體邊界層內(nèi)的晶粒形核生長(zhǎng)過程,,最終在熔池的邊界上形成等軸細(xì)晶粒區(qū),。在隨后熔池凝固過程中,通過CET轉(zhuǎn)變完成整個(gè)沉積層的形核生長(zhǎng),。此外,,熔池內(nèi)部存在柱狀晶到等軸晶再到層狀晶的演變過程,柱狀晶和等軸晶的初始生長(zhǎng)階段表現(xiàn)出同步生長(zhǎng)和相互競(jìng)爭(zhēng),,具有CET轉(zhuǎn)變特點(diǎn),。隨著凝固過程的進(jìn)行,沉積層頂部的高溫度梯度值和相對(duì)溫和的液體對(duì)流為層狀晶的形核生長(zhǎng)提供了理想的環(huán)境,。因此,,在沉積層中部等軸晶粒的形核生長(zhǎng)過程中,層狀晶開始在沉積層頂部等軸晶上方進(jìn)行形核生長(zhǎng),,并沿<110>方向向沉積層頂部平行生長(zhǎng)前進(jìn),。
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圖6 不同熱輸入下沉積層微觀結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果與模擬結(jié)果對(duì)比
研究結(jié)論
(1) 當(dāng)熱輸入為166.7 J/mm和基板預(yù)熱溫度為160°C~230°C時(shí),沉積層主要由熔池底部的柱狀晶,、中上部的等軸晶和頂部的層狀晶組成,層狀晶主要出現(xiàn)在柱狀晶或等軸晶最前端,,呈現(xiàn)多晶平行于局部熱流方向生長(zhǎng),。在較低的熱輸入和基板預(yù)熱溫度下,在沉積層底部出現(xiàn)等軸細(xì)晶區(qū),。
(2) 位于沉積層頂部的層狀晶平均硬度值高于等軸晶,,位于沉積層底部的等軸細(xì)晶平均硬度值略高于柱狀晶。
(3) 隨著溫度梯度和冷卻速率降低,,一次枝晶臂逐漸粗化,,一次枝晶間距和二次枝晶間距增大。模擬結(jié)果表明,,柱狀晶,、等軸晶和層狀晶之間存在相互競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。
論文鏈接:https://doi.org/10.1016/j.jmatprotec.2023.118208
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