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北京理工大學(xué):前驅(qū)體浸滲及熱解光固化成形的SiC陶瓷結(jié)構(gòu)件

3D打印前沿
2020
03/20
10:48
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評(píng)論
作者:劉小棟,、連芩
來源:機(jī)械制造系統(tǒng)工程國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

北京理工大學(xué)方岱寧院士團(tuán)隊(duì)采用光固化3D打印技術(shù)成形SiC陶瓷復(fù)雜結(jié)構(gòu)件,,并對(duì)脫脂件進(jìn)行前驅(qū)體浸滲并熱解(PIP)以提高陶瓷零件的致密度和強(qiáng)度,。

實(shí)驗(yàn)采用1.6己二醇二丙烯酸酯(HDDA)及三甘醇二乙醚基醚(DVE-3)作為單體,,SiC粉體(平均粒徑:1.1μm)作為原材料,,以TPO為光引發(fā)劑,,以KOS110為分散劑,制備了固相含量為30vol%,、35vol%,、40vol%的光固化SiC陶瓷漿料,剪切速率為60s-1時(shí)其黏度分別為951mP.s,、1250mP.s,、1737mP.s,固化厚度分別為75μm,、66μm,、48μm。利用面曝光固化3D打印設(shè)備對(duì)制備的SiC陶瓷漿料固化成形,,成形過程及成形結(jié)果如下圖1所示,,其中曝光強(qiáng)度為7500μw/cm2,曝光時(shí)間為90s,,紫外光波長(zhǎng)為405nm,。對(duì)成形的SiC毛坯件在氮?dú)夥諊旅撝紫葘⒚骷?.5℃/min的加熱速率加熱到800℃,,然后在800℃浸泡2h,,然后自然冷卻至室溫。

圖1 SiC陶瓷結(jié)構(gòu)光固化成形
為了提高成形件的致密度和強(qiáng)度,,對(duì)SiC脫脂件進(jìn)行前驅(qū)體浸滲和解熱,,采用的前驅(qū)體由PCS與DVB以1:0.5的比例混合而成。將脫完酯的SiC件浸入到前驅(qū)體中,,并在60℃下固化1h,,之后在惰性氣體條件下在1200℃熱解1h,熱解工藝循環(huán)進(jìn)行8次,,得到致密的SiC陶瓷結(jié)構(gòu)件,。

經(jīng)過多次浸滲與熱解后,各固相含量SiC陶瓷件致密度提高,,最終產(chǎn)物為SiC,,強(qiáng)度也分別提高到142.1MPa、204.6Mpa,、184.2MPa,。

圖3 經(jīng)PIP后SIC零件成分
結(jié)果表明,本研究制備的SiC陶瓷漿料可用于面曝光固化成形,,成形件沒有明顯的毛刺,、毛孔、裂紋以及斷裂情況。經(jīng)過前驅(qū)體浸滲與熱解后,,最終的SiC陶瓷件表現(xiàn)出較高的相對(duì)密度和強(qiáng)度,,并且熱解產(chǎn)物全部為SiC,沒有產(chǎn)生其他相成分,。這表明可以結(jié)合面曝光固化技術(shù)和前驅(qū)體浸滲與熱解技術(shù)制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)SiC陶瓷件,。

參考文獻(xiàn):
[1]He R, Ding G, Zhang K, et al. Fabrication of SiC ceramic architectures using stereolithography combined with precursor infiltration and pyrolysis[J]. Ceramics International, 2019, 45(11): 14006-14014.


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