荷蘭萊頓大學發(fā)明3D打印超導裝置

來源：江蘇激光產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟

據(jù)悉，約瑟夫森結(jié)是超導電子學的基石,，在精密計量和量子計算方面有著良好的應用,。制造約瑟夫森結(jié)是一個資源密集型的多步驟過程，涉及光刻和濕法處理,，這與許多應用不兼容,。因此，來自荷蘭萊頓大學的研究人員發(fā)明了一種在幾分鐘內(nèi)三維打印應用約瑟夫森結(jié)效應的超導設備的方法,。

約瑟夫森結(jié)（Josephson junction）,，或稱為超導隧道結(jié)。一般是由兩塊超導體夾以某種很薄的勢壘層 ( 厚度 ≤ Cooper電子對的相干長度)而構(gòu)成的結(jié)構(gòu),，例如S(超導體)—I(半導體或絕緣體)—S(超導體)結(jié)構(gòu),，簡稱SIS。在其中超導電子可以通過隧道效應而從一邊穿過半導體或絕緣體薄膜到達另一邊,。不過,實際上只要是兩塊弱耦合(耦合區(qū)尺寸≤Cooper電子對的相干長度)的超導體都可構(gòu)成Josephson結(jié),，不一定需要采用隧道結(jié)的形式。（來源于百度百科）

約瑟夫森效應出現(xiàn)在宏觀量子態(tài)被一種介質(zhì)分隔時,，這種介質(zhì)允許它們的波函數(shù)部分重疊,。這種現(xiàn)象發(fā)生在約瑟夫森結(jié)中,，在那里超導電極的宏觀波函數(shù)被耦合通過某種形式的障礙。與傳統(tǒng)電子設備不同,，在傳統(tǒng)電子設備中,，電流由電勢差驅(qū)動(即約瑟夫森結(jié)中的電荷傳輸是由超導電極的量子力學相位的差異決定的。電流相位關(guān)系使約瑟夫森結(jié)能夠?qū)�無耗散傳輸?shù)男�率與量子干涉測量的精度結(jié)合起來,。今天,，約瑟夫森結(jié)在許多領(lǐng)域都是不可或缺的成分，從用于成像和信號處理的高靈敏度探測器,，到量子電路和超導計算,。例如超導量子干涉儀（SQUIDs），又稱超導量子干涉裝置,，是非常敏感的磁強計,。這類儀器是借由約瑟夫森效應運作的，在科學和工程中應用廣泛,。

到目前為止,，約瑟夫森器件的制造是一個多步驟的過程。這通常是薄膜沉積和其他結(jié)構(gòu)化/圖案化步驟的結(jié)合,，其可以包括光刻工藝(例如抗蝕劑旋涂和蝕刻)或暴露于聚焦離子束,。這些程序并不總是與超導器件的潛在應用兼容，例如,，在易碎的襯底或非平面表面不能被抗蝕劑涂覆的情況下，或者當暴露于離子束或浸沒在液體中對系統(tǒng)有害時,。目前還沒有制造約瑟夫森器件的無損直寫方法,。

在該研究中，研究人員介紹了一種一步式加成技術(shù),，以使用電子束誘導沉積（EBID）“打印”約瑟夫森結(jié),，即通過掃描電子束以局部解離前驅(qū)體分子，然后將其吸附在表面上,。整個制造過程在帶有氣體注入系統(tǒng)的掃描電子顯微鏡（SEM）中進行,，這也可以直接進行質(zhì)量控制和設備維修。一個完整的約瑟夫森結(jié)可以在幾分鐘內(nèi)完成打印,。除了與外部電子設備的接觸以外,，EBID約瑟夫遜結(jié)不需要薄膜沉積或其他處理（例如退火，暴露于化學物質(zhì)或離子束）,。這提供了一種非侵入性的手段,，可以在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的所需位置添加高靈敏度檢測器，例如用于磁力測定的超導量子干涉裝置（SQUID）,。

▲與金電極（黃色）接觸的鎢絲（紅色）的偽彩色掃描電子顯微照片,，比例尺對應于500 nm,。

▲EBID約瑟夫森結(jié)的假彩色顯微照片。W–C弱連接（紫色）連接兩個超導W–C電極（紅色）,，印刷在金觸點（黃色）上,。比例尺代表1μm。在沉積弱連接材料之前拍攝的插圖圖像顯示了160 nm的間隙,，該間隙將超導電極分開并代表了弱連接的有效長度,。

研究人員利用EBID可調(diào)諧材料的特性，一次寫入帶有超導電極和金屬弱連接的全鄰近結(jié),，并調(diào)整它們的約瑟夫森耦合,。這些結(jié)的約瑟夫森行為由它們的微波誘導夏皮羅響應和場相關(guān)傳輸來建立和表征。

原來在計算機芯片上制造超導設備是一個多步驟且要求很高的過程,，需要使用專用的設備,，而且需要幾天的時間才能完成。采用電子束誘導沉積（EBID）打印約瑟夫森結(jié)后,，SQUIDS的基本部分約瑟夫森結(jié)可以在電子顯微鏡內(nèi)在短短幾分鐘內(nèi)打印在幾乎任何表面上,。研究人員的努力為傳統(tǒng)的納米制造提供了一種多功能和無損的替代方法，并可以擴展到打印三維超導傳感器陣列和量子網(wǎng)絡,。

本文來源：Tycho J. Blom et al. Direct-Write Printing of Josephson Junctions in a Scanning Electron Microscope, ACS Nano(2020). DOI: 10.1021/acsnano.0c03656