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高強(qiáng)度鋼等離子絲弧增材制造(PWAAM)過程的計算焊接模擬

3D打印動態(tài)
2024
03/01
13:37
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來源:先進(jìn)焊接技術(shù)

2023年12月格拉茨技術(shù)大學(xué)連接和成型研究所的Simon Schöneggera,,Matthias Moschinge,Norbert Enzingera在《European Journal of Materials》上刊登了《Computational Welding Simulation of a plasma wire arc additive manufacturing (PWAAM) process for high-strength steel》一文,,介紹了高強(qiáng)鋼等離子電弧增材制造的焊接數(shù)值模擬的相關(guān)內(nèi)容,。


電弧送絲增材制造(WAAM)工藝非常適合制造由各種金屬材料制成的大型部件。與基于粉末的系統(tǒng)相比,,其優(yōu)點(diǎn)在于構(gòu)建率高,、材料成本低、材料適應(yīng)性強(qiáng)以及良好結(jié)構(gòu)完整性,。該工藝屬于直接能量沉積(DED)工藝范疇,,通常使用電弧作為熱源來熔化金屬絲,。
等離子絲電弧增材制造(PWAAM)使用等離子電弧作為熱源,與TIG焊接工藝相似,,使用非熔化鎢電極來產(chǎn)生電弧,。這兩種工藝之間的主要區(qū)別在于前者使用專門設(shè)計的噴嘴和等離子體氣體來收縮電弧,從而提高能量密度和在相同電流下電弧的穩(wěn)定性,。在此過程中,,等離子體的溫度最高可達(dá)25000°C。
本研究旨在開發(fā)一個描述高強(qiáng)度鋼P(yáng)WAAM過程的模擬模型,。通過有限元軟件Simufact Welding進(jìn)行模擬分析,。模擬和實(shí)驗獲得的溫度場和畸變之間的良好一致性是本研究的主要目標(biāo),并通過實(shí)驗驗證了上述結(jié)果,。

圖1為設(shè)計的有限元模型,,模型中基材的尺寸為175 mm x 40 mm x 30 mm。焊縫尺寸為1.2 mm高,、7.9 mm寬和150 mm長,。表1為基材與焊材成份如表1所示。圖2為雙橢圓Goldak熱源模型,,圖3為高斯熱源模型。

實(shí)驗中使用的焊接參數(shù)如表2所示,,其中I[A]是焊接電流,、U[V]是焊接電壓,𝑣𝑠 [mm/s]焊接速度,,𝑣𝐷 [mm/s]焊絲進(jìn)給速度,,𝑉𝑠 ̇[l/min]保護(hù)氣體流速和𝑉𝑃 ̇[l/min]等離子體氣體流速。電壓U根據(jù)電源特性自行調(diào)節(jié),,因此沒有被指定,。在焊接過程中測量電壓,并隨后在模擬模型中給出平均值,。
在焊接過程中,,以50Hz的采樣率記錄溫度。焊接完成后,,將樣品橫向切割到焊縫上,,形成焊縫的橫截面顯微照片如圖4所示。參數(shù)𝑡𝑒𝑒 [mm],,ℎ𝑛𝑒 [mm]和𝑏𝑒 [mm]確定熔深,、焊縫高度和焊縫寬度。指數(shù)e表示實(shí)驗,。

為了評估熱機(jī)械模擬模型的準(zhǔn)確性,,還進(jìn)行了變形實(shí)驗,。使用25 mm x 130 mm x 8 mm的試樣幾何形狀來增加翹曲。為了最大限度地減少初始?xì)堄鄳?yīng)力,,將試樣在860°C下保持25分鐘,。使用表2中的焊接參數(shù)在試樣上沉積100mm長的焊縫。將樣品冷卻至環(huán)境溫度后,,在樣品背面測量樣品的畸變,。
圖5所示的三維溫度場表示焊縫附近的溫度分布,由測量的溫度曲線和熱電偶的位置生成,。將實(shí)驗的溫度場與模擬結(jié)果進(jìn)行了比較,。此外,還可以從二維視圖中導(dǎo)出結(jié)果,。俯視圖顯示了基材表面的等溫線(圖6a),,黑色箭頭指向焊接方向。黑色虛線代表以100°C為單位繪制的等溫線,�,?梢钥闯觯M的線的長度和寬度與實(shí)驗的一致性很好,。焊接方向上三維溫度場的二維視圖如圖6b所示,,顯示了橫向于焊縫的基底表面上的溫度分布。

圖1 有限元模型

表1 材料成分
圖2 雙橢圓Goldak熱源模型
圖3 高斯熱源模型

表2 實(shí)驗參數(shù)
圖4 焊縫形狀
圖5 三維溫度場
(a)                           (b)
圖6  a) 等溫溫度場,,b)橫向溫度分布
結(jié)論:

1,、對于雙橢圓熱源,難以在匹配溫度分布的同時,,對實(shí)驗確定的熔池幾何形狀進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕,!?br />
2、使用二維高斯表面熱源,,可以實(shí)現(xiàn)熔池幾何形狀和溫度分布的良好一致性,。與雙橢圓熱源相比,高斯表面熱源的優(yōu)點(diǎn)是獨(dú)立模擬參數(shù)較少,,這簡化了使用試錯法對熱源的調(diào)整,。雖然高斯熱源通常是光束過程的首選,但它可以更好地代表等離子體過程,。具體情況如下:較低的高斯參數(shù),,其與增加的熱源橫截面半徑相結(jié)合導(dǎo)致更平坦的能量分布。這項研究展示了用普通熱源演示等離子體電弧的可能性,。由于等離子體電弧會受到噴嘴橫截面和等離子體氣體量的強(qiáng)烈影響,,因此開發(fā)一種新的等離子體焊接過程熱源模型是十分具有意義的。



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