來(lái)源:焊接科學(xué)
2024年12月20日,,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院核與量子工程系的研究團(tuán)隊(duì)在《Materials Today Communications》期刊發(fā)表最新研究文章“Microstructure and mechanical properties of functionally graded materials alloy 82 / AISI 304L by employing WAAM”,研究了基于氣體鎢極電弧焊(GTAW)技術(shù)的電弧增材制造(WAAM)工藝制備Alloy 82/AISI 304L功能梯度材料(FGMs)墻體的微觀結(jié)構(gòu)與機(jī)械性能,。
研究人員系統(tǒng)分析了FGMs墻體的微觀結(jié)構(gòu),、化學(xué)組成、晶粒尺寸及力學(xué)性能,。結(jié)果表明,,Alloy 82區(qū)域顯示出細(xì)柱狀和胞狀枝晶,,而AISI 304L區(qū)域則具有板條狀δ鐵素體。拉伸實(shí)驗(yàn)顯示,,F(xiàn)GMs墻體的極限抗拉強(qiáng)度和屈服強(qiáng)度分別為565 MPa和321 MPa,,斷裂發(fā)生在AISI 304L區(qū)域,并表現(xiàn)出韌性失效模式,。
實(shí)驗(yàn)方法
研究采用GTAW工藝,,以Alloy 82和AISI 304L填充焊絲(直徑1.2 mm)為原材料,制備FGMs墻體,,基板為厚度10 mm的304L鋼板,。關(guān)鍵工藝參數(shù)包括:電流140 A,電壓13-15 V,,焊槍移動(dòng)速度120 mm/min,,保護(hù)氣體為純氬氣(99.99%),流量20 L/min,,層間溫度控制在150°C,,每層厚度約0.9 mm,最終墻體尺寸為70 mm × 55 mm × 5 mm,。通過(guò)光學(xué)顯微鏡(OM),、掃描電子顯微鏡(SEM)和EBSD技術(shù)對(duì)FGMs墻體的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,同時(shí)使用維氏硬度計(jì)和拉伸試驗(yàn)評(píng)估機(jī)械性能,。
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圖1. 采用GTAW技術(shù)制造的AISI 304L和Alloy 82功能梯度材料(FGMs)WAAM墻的CAD示意圖以及樣品的提取.
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圖2. (a) 開(kāi)發(fā)的FGMs WAAM墻的宏觀圖,;(b) AISI 304L的顯微結(jié)構(gòu),(c) 界面區(qū)域,,以及 (d) Alloy 82的顯微結(jié)構(gòu).
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圖3. 通過(guò)GTAW WAAM制造的AISI 304L沉積區(qū)域的SEM-EDS分析.
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圖4. FGMs AISI 304L和Alloy 82 WAAM界面區(qū)域的SEM-EDS線掃描分析.
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圖5. 通過(guò)GTAW WAAM沉積的Alloy 82區(qū)域的SEM-EDS線掃描分析.
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圖6. AISI 304L沉積的EBSD分析,,顯示 (a) FCC和BCC相分析 (b) KAM映射和 (C) Schmid因子.
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圖7. AISI 304L沉積的EBSD分析,顯示取向分布函數(shù)(ODF).
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圖8. AISI 304L沉積的EBSD分析,,顯示 (a) 逆極圖,,(b) 晶粒尺寸設(shè)置,和 (C) 晶粒失配角.
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圖9. FGMs WAAM界面區(qū)域的EBSD分析,,顯示 (a) 逆極圖 (IPF),,(b) Schmid因子 (SF),(c) 核心平均失配 (KAM),,和 (d) 晶粒失配角.
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圖10. 硬度剖面圖,,顯示從Alloy 82到304L側(cè)FGMs WAAM硬度的變化.
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圖11. 顯示 (a) 拉伸試驗(yàn)照片及其斷口形貌和 (b) Charpy V缺口試驗(yàn)照片及其斷口形貌.
論文總結(jié)
FGMs墻體成功實(shí)現(xiàn)了Alloy 82與AISI 304L的界面結(jié)合,無(wú)明顯裂紋與孔隙缺陷,;
AISI 304L區(qū)域顯示δ鐵素體向奧氏體轉(zhuǎn)變,,Alloy 82區(qū)域主要由柱狀枝晶組成,界面區(qū)域具有混合晶界;
Alloy 82區(qū)域硬度更高,,約為234 HV,,而AISI 304L區(qū)域硬度為186 HV,硬度呈現(xiàn)沿沉積方向遞減趨勢(shì),;
FGMs墻體的抗拉強(qiáng)度為565 MPa,,屈服強(qiáng)度為321 MPa,伸長(zhǎng)率為23%,,斷裂發(fā)生在AISI 304L區(qū)域,;
FGMs墻體在界面區(qū)域的韌性較低,為33 J,,主要受低角度與高角度晶界(LAGBs與HAGBs)以及碳化物析出的影響,。
論文地址:https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2024.111399
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