通過PIP制備聚碳硅烷衍生的3D-SiC支架

撰稿人：李賽,、魯中良
撰稿單位：西安交通大學機械制造系統工程國家重點實驗室

碳化硅(SiC)具有耐高溫,、耐輻照、高硬度,、高模量等特性,，是一種極具應用前景的材料。聚合物衍生陶瓷(PDCs)由于其加工溫度低,、形成非晶或納米結構,、易設計性和前驅體易處理等優(yōu)點而得到了廣泛的研究。直寫打印DIW是一種靈活而強大的方法,，能夠通過噴嘴擠出粘彈性油墨來制造廣泛的陶瓷,、金屬、聚合物和多種材料,。

該研究團隊[1]制備了五種晶須增強的3D-SiC,，并將其用作3D-SiC基復合材料的支架。 這些支架包含SiCp和Ti兩種不同的填充物,，互連的孔和CVI層的界面,。將鈦粉作為活性填料添加到基于PCS的懸浮液中，以吸收釋放的氣體,，并旨在提高陶瓷產量,。在1800℃下燒結3D-PCS的支架，可以在支架內部建立相互連接的孔,。為了改善3D支架與PIP層之間的接觸面積和界面結合強度,，使用了CVI工藝3D-SiC支架上形成SiC層。最終通過PIP制備了五種類型的3D SiC基復合材料,，并對其微觀結構,，組成和力學性能進行了詳細研究。

圖1 基于PCS懸浮液的3D-SiC基復合材料制造工藝示意圖

圖2 采用23個PIP循環(huán)制備3D-SiC基復合材料的SEM圖像

最終結果表明：（1）Ti活性填料有效地提高了陶瓷的成材率,，但由于TiCx和TiaSib形成過程中的體積膨脹,，導致3D SiC支架中網狀裂紋的形成。（2）在PIP過程中,，3D支架的重量增加分為兩個階段,，前10個周期為線性關系，后10個周期為拋物線關系。（3）細絲上互連的孔隙或SiCw增加了3D支架與PIP層之間的結合強度,，從而提高了拉伸強度,。添加Ti填料的3D sic基復合材料的抗拉強度最高，為129.7 MPa,，這是由于PIP工藝后3D支架和界面得到了強化,。

參考文獻：
H. Xiong, L. Zhao, H. Chen, H. Luo, X. Yuan, K. Zhou, D. Zhang, Building SiC-based composites from polycarbosilane-derived 3D-SiC scaffolds via polymer impregnation and pyrolysis (PIP), Journal of the European Ceramic Society, 41 (2021) 1121-1131.