低溫打印技術(shù)制備聚芳醚酮-羥基磷灰石復(fù)合支架

供稿人：張倍寧,、李滌塵 供稿單位：西安交通大學機械制造系統(tǒng)工程國家重點實驗室　

來源：中國機械工程學會增材制造技術(shù)（3D打�,。┓謺�

納米羥基磷灰石顆粒摻入聚合物后能夠加快成骨過程,，但現(xiàn)有的羥基磷灰石復(fù)合材料植入物并不令人滿意,。部分原因是納米顆粒的高表面能導(dǎo)致顆粒的聚集和不均勻性,，進而導(dǎo)致復(fù)合材料性能受損,。Xinshuai Gao團隊合成了含羧基的聚芳醚酮(PAEK-COOH),，并通過與納米羥基磷灰石（nHA）化學結(jié)合來制備復(fù)合材料。復(fù)合材料在溶液中可配制成均勻穩(wěn)定的生物墨水,，并通過低溫打印將生物墨水制成多孔支架,，避免了高溫對化學集成和生物活性因子的破壞。復(fù)合材料支架表面元素分布均勻,，力學性能與骨小梁相匹配,。體外實驗表明，添加nHA有利于促進細胞增殖,，誘導(dǎo)細胞成骨分化,。該研究開發(fā)了一種制備均勻分布的納米復(fù)合材料的方法，具有在骨科領(lǐng)域應(yīng)用的潛力,。

a)含羧基聚芳醚酮(PAEK-COOH)合成方案 b)低溫打印制備PAEK-COOH-nHA骨修復(fù)支架

圖1 低溫打印聚芳醚酮-羥基磷灰石復(fù)合材料制備骨支架示意圖

該團隊打印示意圖如圖1所示,。合成了含羧基的聚芳醚酮(PAEK-COOH)，并通過N-(3-二甲氨基丙基)-N'-乙基碳二亞胺鹽酸鹽(EDC)/4-二甲氨基吡啶(DMAP)的酯化反應(yīng)與nHA制備復(fù)合材料,。該復(fù)合材料可在溶液中配制成均勻穩(wěn)定的生物墨水,，并通過低溫打印將生物墨水制成多孔支架。打印后,，樣品在足夠的冷凍溫度下冷凍干燥,，使縫隙中的溶劑轉(zhuǎn)化為冰晶,。在特定的溫度和壓力下，冰晶升華成蒸汽,，并消除殘余溶液,，制備得到多孔支架。

a)低溫打印示意圖 b, c) 40% nHA支架掃描電鏡圖 d)多孔支架實物圖 e, f)元素能譜映射 g) 水接觸角測量 h)不同nHA含量下的壓應(yīng)力(應(yīng)變= 10%) i)不同nHA含量下的壓縮模量

圖2 通過低溫打印PAEK-COOH-nHA支架及其性能

該團隊打印得到的支架及其性能如圖2所示,。采用低溫打印技術(shù)制備了PAEK-COOH-nHA多孔支架,。通過掃描電鏡(SEM)觀察打印支架的形態(tài)，可以看到nHA顆粒均勻地分布在聚合物表面,。利用能譜(EDS)圖觀察到各元素分布均勻,，P和Ca元素的含量隨著nHA含量的增加而增加。隨著nHA含量的增加,，復(fù)合材料的水接觸角明顯減小(圖2g),。應(yīng)力-應(yīng)變曲線顯示，在低nHA含量(5wt%)下,，壓縮應(yīng)力隨nHA含量的增加而升高,，這在復(fù)合材料的力學性能中并不常見(圖2h)。壓縮模量的變化趨勢與應(yīng)力基本一致(圖2i),。

a) 細胞行為示意圖 b) CCK-8孵育24 h后3D打印支架上的細胞活力 c) 3天后通過DAPI/phalloidin檢測顯示細胞分布的CLSM圖像 d)不同打印支架幾天內(nèi)堿性磷酸酶(ALP)和茜素紅S (ARS)的染色情況

圖3 MC3T3-E1細胞在PAEK-COOH-nHA支架上的增殖和成骨潛能

該團隊的細胞實驗結(jié)果如圖3所示,。細胞計數(shù)試劑盒(CCK-8)分析顯示復(fù)合材料支架上MC3T3- E1細胞存活率均高于95%(圖3b)，說明復(fù)合材料適合成骨細胞的播種和生長,�,；�于SEM圖像觀察，注意到不同支架培養(yǎng)的MC3T3- E1細胞的細胞粘附和擴散形態(tài)有很大差異,。3天后用DAPI/phalloidin法評價支架細胞增殖能力,。與其他支架相比，PAEK-COOH-40% nHA支架的細胞數(shù)量最多,，說明高nHA含量更有利于MC3T3-E1細胞的增殖(圖3c),。通過ALP染色來評估14天后的ALP活性(圖3d),。隨著nHA含量的增加,，復(fù)合支架顏色逐漸加深，表明ALP活性逐漸升高,。

該團隊合成了PAEK-COOH,，并與nHA制成復(fù)合材料。由于化學結(jié)合,，nHA顆粒能均勻地分散在樹脂基體中,。復(fù)合材料支架的機械性能與骨小梁的吻合良好。體外實驗證明均勻分布的nHA顆�,？梢源龠M細胞粘附,、滲透,、增殖和成骨分化。

參考文獻：
Xinshuai Gao, Honghua Wang, et al. Biofabrication of Poly(aryletherketone)-Hydroxyapatite Composite Scaffolds via Low-Temperature Printing [J]. Advanced Materials Technalogies.2023.